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三星發布業界首個 12 層 3D-TSV 芯片封裝工藝,可滿足大容量 HBM 需求

2019/10/7 15:04:17來源:IT之家作者:阿迷責編:阿迷評論:

IT之家10 月 7 日消息 今天,三星宣布成功開發出界首個 12 層 3D-TSV(直通硅通孔)技術。這是業界首個將 3D TSV 封裝推進到 12 層的工藝,而此前最大僅為 8 層。

3D-TSV 最多用在 HBM 顯存上,這種技術通過芯片內部的打孔填充金屬導電材料實現多層芯片互聯,其速度更快,密度更高。三星此次公布的 12 層 DRAM 封裝工藝需要在 720 微米厚的芯片上打超過 60000 個 TSV 孔,這些孔的尺寸僅為人頭發絲的二十分之一。

相比于 8 層 HBM2,其芯片厚度相同,但是能夠增加 DRAM 容量。廠商也無需調整系統配置。三星相關負責人表示,隨著 AI、高性能計算等領域的高速發展,確保超高性能存儲器所有復雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限,3D-TSV 所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新芯片封裝技術的最前沿。

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關鍵詞:三星內存芯片

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